金融界2025年5月12日消息，国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（苏州）有限公司申请一项名为“晶体管及其制作方法”的专利，公开号CN119967847A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本公开提供了一种晶体管及其制作方法，属于半导体器件领域。所述晶体管包括：第一沟道层、第一势垒层、第二沟道层、第二势垒层、电介质层、源极和漏极；所述第一势垒层、所述第二沟道层和所述第二势垒层依次层叠在所述第一沟道层上，所述第一势垒层、所述第二沟道层和所述第二势垒层上开设有延伸到所述第一沟道层的源极凹槽和漏极凹槽；所述源极位于所述源极凹槽内且与所述第一沟道层相连，所述漏极位于所述漏极凹槽内且与所述第一沟道层相连，所述电介质层位于所述源极和所述源极凹槽的内壁之间。

天眼查资料显示，京东方华灿光电（苏州）有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（苏州）有限公司参与招投标项目85次，专利信息552条，此外企业还拥有行政许可43个。

本文源自：金融界